前言

        如今世界各國科技公司程度的加強和科學研究實驗調查的深入群眾，科學研究實驗檢測設配成以及部委和各地教學科研結構、普通高校和中小型品牌必不可缺少的手段。受惠于世界各國再次代半導體技術流通業跑馬圈地擴展產量，檢查儀儀設配領域猶言坐享供給基金分紅，持續性受歡迎。近些這幾年來來，國產圖片外一些中小型品牌小動作頻繁，最為關鍵的緩解的檢查儀儀設配不再是被少數幾個中小型品牌壟斷銷售市場，的行業世界各國化進度看不出加大，中華銷售市場檢查儀儀設配的國產圖片化率也在慢慢提升自己。

        以第三點代半導體設備技術技術的測驗需求量，北京普賽斯技術創新投放市場SiC/IGBT/GaN瓦數馬力設備空態性能指標測驗解決辦法計劃書，為SiC和GaN馬力設備能提供安全的測驗行為，體現瓦數半導體設備技術技術馬力設備空態性能指標的精度等級、高效性率量測和分享，食品已被國內外幾十家知名度半導體設備技術技術公司企業認可和運用。

國產測試設備出海機遇海外市場發展空間廣闊

        三、代半導裝修資料屬于以SiC、GaN為代表會的半導裝修資料裝修資料，與前第一代和第二代半導裝修資料裝修資料不同于其好處是具備有較寬的禁帶寬使用度，更可以于生產制作持續高溫、高頻、抗放射性物質及大電馬力的自動化元電子元器件封裝，往往在5G基站設備、新資源、光伏發電、風力發電、火車動車等方面發揮著比較廣泛的運用。Yole推測，各國SiC電馬力半導裝修資料市面 將從2023年的12億澳元生長額至2022年的64億澳元，年符合年生長額率(CAGR)將多于34%，GaN電馬力元電子元器件封裝市面 將從2023年的1.23000萬澳元生長額到2022年的20億澳元，年符合年生長額率(CAGR)達到的59%。

檔案資料由來:Yole Development

        近兩余年來，較為先進光電器件行業營造機器機保留國爭相升到外貿出口監管最新相關政策，從測驗機器機的業務供給想法而言，全國股票市場的日本產換用業務供給很強，最新相關政策層面上也得到了間距關心，被認定是全國在光電器件行業前沿技術“換道超車”的為重要有機會。隨日本產測驗機器機機械性能和不穩性的大幅提升，在價格和服務保障優質的帶來下，在海外業務供給也開始的增加，用的空間好。

        近兩天，西安普賽斯IGBT動態式的主要性能參數測評系統軟件出口貿易內地，并已結束項目流程質量檢查，因素著自由新產品研發的全國產系列化IGBT動態式的主要性能參數測評系統正式宣布進來國際英文整個市場。

IGBT靜態參數測試的難點與挑戰

        任何器件的制造與應用都需以測試手段作為保障，IGBT功率器件的參數測試不僅是功率器件投入商業化應用的重要環節，也是研究器件性能的重要手段。根據測試條件不同，功率器件被測參數可分為兩大類：靜態參數和動態參數。靜態參數是指器件本身固有的，與工作條件無關的相關參數，如集射極直流電流擊穿直流電流V(BR)CES、呈現飽和狀態集射極直流電流ICES、柵射極閾值法直流電流VGE(th)、插入電感 Cies、返向視頻傳輸電感Cres、模擬輸出電感Coes等。

         普通的IGBT靜止指標試驗機系統均來源于國際品牌標志，這樣機器的試驗工作電壓大約3000V這，交流電大小大約1200A這。而民營公司業在高壓力變壓器（>3000V）和高交流電大小（>1000A）IGBT組件電源試驗這方面與進品機器相對收入差距一定，且都存在的試驗高精準度太少高、測量方法的范圍有現的事情。對點發展軌道公共交通用的高壓力變壓器大工作功率的IGBT單管、半橋組件電源，試驗先決條件必須要提高6500V/3000A，管不了是進品機器還有國產機器都沒辦法提高試驗需要。

圖:Si/SiC/GaN的市場上適用規劃

高電壓、大電流：普賽斯IGBT靜態參數測試解決方案

        為面對各業各業對IGBT的測驗各種市場需求，西安普賽斯順向設計方案方案、精益管理打造出半個款精密加工機械直流電值-直流電的IGBT外部規格測驗系統化的，可保證IV、CV、跨導等雄厚職能的綜和測驗，具備高gps精度、寬自動自動測量範圍、方案化設計方案方案、不累上升系統化突出等強勢，契機多方面無法從基本電功率整流二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體存儲芯片SiC、GaN等晶圓、存儲芯片、配件及方案的外部規格表現和測驗各種市場需求。系統化的主要包括方案化智能家居控制的設計方案方案結構特征，為使用者后面比較靈活放入或上升系統化自動自動測量方案保證了從而便利性和較好性價比算是，提高自己測驗速率及產線UPH。         IGBT動態性能參數測試裝置支撐統計資料交互式一鍵運營或構建檢測器臺的智能運營，還可以在從自動測量軟件設置和連接到畢竟淺析和統計資料經營的整體的表現進程中變現高效率的和可按順序的元器件封裝表現。也可與高溫度低箱、控溫模快等配的使用，滿意高溫度低測試需要量。

        IGBT靜態參數測試系統主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V(可映射至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz，可靈活選配。

系統優勢/Feature

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯髙壓包塊制定的時長值為5ms，在測式時中就能夠降低待測物加電時長的發高燒。

2、低壓下漏電流的測式工作能力表現出色，測式遍及率相較于國家項目。市面上絕大多數器件的規格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊測試幾乎可以完全應對所有類型器件的漏電流測試需求。

3、于此，VCE(sat)公測是定量分析 IGBT 導通工作額定電壓的注意技術參數，對開關按鈕工作額定電壓同樣相應的作用。應該應用飛速窄輸入輸入脈沖感應電流源，輸入輸入脈沖提高沿訪問速度要夠快時就可以縮小元器低熱，此外機械設備應該有數據同步取樣額定電壓功能性。

IGBT動態各種測試英文圖片模式大直流電壓接口：50us—500us 的可調節為直流電壓脈寬，回落邊沿在 15us(類型值)，削減待測物在各種測試英文圖片工作中的產生熱量，使各種測試英文圖片結論更有精確度。下圖為 1000A 波形：

4、高速敏銳的客制化沖壓模具避免設計：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產品的測試。

結束語

        IGBT冗余主要參數測式系統性看作高科學能力成品，過往在國際聯盟貿易市場上只被一些企業公司熟知。各國半導體芯片芯片產業群的經濟發展還有領先半導體芯片芯片開發設配保要國出口處監管的優化，對國產圖片設配生產廠言之又是成就也是機遇與挑戰。前景，合肥普賽斯將充分地充分調動自身業務的能力和企業創新好處，持續不斷統籌推進高科學能力成品完美落地應用軟件，真實真正做到以能力創設許多顏值。