盛夏已過，初秋開場

十月的高溫作業仍舊很久不散人生也免不到被冗雜的的工作封魔

高壓低壓大馬力(6500V/3000A)IGBT檢測難？伴伴隨活動需求分析急、人物重、讓高建設項目師們各種壓力山大...

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Step  1

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Step  2

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

根據SiC與Si特質的各種，SiC MOSFET的閥值交流直流電壓值極具發飄界定，在集成電路芯片自測進程中閥值交流直流電壓值就會突出漂移，引發其電性能參數自測還有中高溫柵偏實驗室檢測后的電自測數據可怕依耐于自測條件。因閥值交流直流電壓值的準確性自測，現今靠譜性自測的方式有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通內阻 RDSon為會影響元器件運作時導通損耗費的一核心的特征參參考值，其參考值會隨 VGS 或者T的變而轉換。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護的也能將電壓直流電壓還直流電壓受限在SOA空間，以免 電子元器件損傷或炸管。

考試經濟條件：800V 恒壓 10μA 限流

測試條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）電流量論文檢測電源電路將提升 導通交流電壓校正精密度；? SOCKET與PIN碰觸功率內阻、檢查引線導通功率內阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，直流電弧形自激振蕩；? 火車線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 常規同軸電力電纜的等效濾波電容與DUT串聯，SMU測式時下降或是安全穩定耗時長；? 三同軸電線等效電解電容可以說為0。

參與互動獲得精美禮品

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