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專注力于半導電耐腐蝕性測試測試

IC芯片電性能參數測試

收入：admin 日子：2024-08-09 14:07 觀看量：156
存儲心片自測充當存儲心片設定方案、生產加工、封裝類型、自測工作流程中的最關鍵性步驟之首，是的使用相關論文檢測設備，用待遇測元元元件封裝DUT(Device Under Test)的論文檢測，差異的缺陷、手機驗證元元元件封裝是否是達到設定方案對象、剝離 元元元件封裝真偽的操作過程。表中直流電技術指標自測是檢則存儲心片電能力的最關鍵性方式方法之首，常見的自測方式方法是FIMV（加工作直流電測電阻值）及FVMI（加電阻值測工作直流電），自測技術指標涵蓋開斷路自測(Open/Short Test)、漏工作直流電自測（Leakage Test）并且DC技術指標自測（DC Parameters Test）等。


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