前言

        2030年，高度各地半導功率器件工業終極連續式高增加，進到設定周期性。與此演變成了相比，在新能量小轎車、光伏太陽能、儲熱等要促進下，其三個代半導功率器件工業長期保持高速公路壯大，高度各地化廠家直銷鏈模式正當演變成了，角逐力分區布局慢慢的闡明，工業跨入迅速的成長發育期。而我們國家其三個代半導功率器件工業歷經剛準備生產量啟動和產線修建，產的圖片其三個代半導功率器件設備連續源源不斷開拓順利并確認驗正，方法穩步推進升級，生產量連續源源不斷盡情釋放，產的圖片增碳硅(SiC）功率器件及控制模塊準備“上機”，園林模式漸漸的進一步完善，自主經營可控硅調光效果連續源源不斷改善，布局角逐力戰斗力漸趨升級。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022三、代半導技術工業發展趨勢行業報告》展現，2020年本國的三、代半導技術工作電壓光學器材和徽波頻射5個層面確保總生產量141.710億，較2023年時間內上升11.7%，的生生生產能力力力源源不斷解放。這之中，SiC的生生生產能力力力上升翻一番，GaN的生生生產能力力力上升超30%，新建創業擴產年度計劃較2023年時間內去年同期上升36.7%。也，不斷地智能小汽車市揚更快上升，光伏系統、儲蓄能量所需推升，2020年本國的三、代半導技術工作電壓光學器材和徽波頻射市揚總數量達標194.210億，較2023年時間內上升34.5%。這之中，工作電壓半導技術市揚以上105.510億，徽波頻射市揚約88.610億。

        預測，202三年將是再者代半導體枝術推陳出新的三年，茶葉市場將基督徒見證一款“枝術更快增加、財產更快發展、的格局構造大大轉變”的“西漢的今天”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        顯然，第三點代寬禁帶光電器件文件的探析也穩步推進著LED燈飾第三產業群的不停未來發展，從Mini-LED到Micro-LED，定期影響到光電器件燈飾第三產業群，然而在大工率脈沖激光器、UV紫外線殺菌的/偵測業務領域表現至關重要要的能力。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        迄今為止，公率半導材料器材貿易市場凸顯出結合化和版塊化、高穩定性和高可信性、多電平系統、當下器材格局和工藝設計、自動智能化化和可相空間等提高了變化趨勢和提高了定位。公率半導材料器材最為運用于嚴格生態環境下的高公率孔隙率器材，對器材可信性標準處于整個半導材料器材的前頭。以至于，對器材脫貧攻堅的穩定性自測英文標準、滿足選擇的場景的可信性自測英文狀態及及明確的失靈進行分析玩法將很好的提高了公率半導材料器材產品的穩定性及可信性主要表現。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 區域廣，高至300V低至1pA- 是較為小的脈沖造成的參數200μs- 更準度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺明顯3500V直流電壓轉換(可括展10kV)- 預估交流電低至1nA- 最準度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 讀取直流電達1000A- 數臺串聯高達6000A- 50μs-500μs的激光脈沖凈寬調節器- 輸入脈沖邊沿陡(經典時段15us)- 雙路搜集衡量電流電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 整流/智能哪幾種電阻值模擬輸出的模式- 大脈沖信號電流量，高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式結構設計，1CH/插卡，高達能夠10清算通道

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*環節圖文源頭：開放相關資料收集整理

*部件質料來原：中國現代經濟增長時報《中國國家3代半導體器件服務業整體打開增長期》郭錦輝

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